仪器名称：脉冲激光沉积系统
仪器型号：BWI PLD
仪器产家：Blue Wave Semiconductor, Inc
主要应用：主要用于生长外延薄膜、多层异质结氧化物、氮化物以及单层和双层石墨烯。
性能指标：
1. 脉冲激光沉积腔体尺寸：直径小于12 inch，配有高精度气体漏阀及真空计，腔体真空漏率：≤1×10-9 mbar-L/sec He；腔体真空度（未烘烤）：≤5x10-7 Torr。同时配套有石墨烯专用化学气相沉积腔室。
2.脉冲激光沉积靶材数量：可至少同时放置6个1 inch，或至少3个2 inch靶材，采用卡座固定靶材；靶位可连续转动，转速为：10 rpm。
3.脉冲激光沉积样品台尺寸：直径2.2 inch，最高加热温度：850 ℃(1 bar O2或NH3反应性气氛下)。石墨烯沉积腔样品台尺寸1cm2，样品台最高加热温度：1000 ℃；控温精度：±1 ℃。
4.激光器发光介质：KrF；激光波长：248 nm；单脉冲能量：400 mJ；最大脉冲频率：20 Hz；脉冲宽度：20 ns。
样品要求：
靶材为圆片状，厚度范围1/8 inch至1/4 inch，靶材应当提前烧结成瓷以保证靶材的质密性。
注意事项：
1、使用脉冲激光器时需佩戴专用防护眼镜
2、不得在易燃易爆气体，如氧气、甲烷、氢气瓶周围出现明火或使用高温设备
3、更换激光器KrF气瓶时需佩戴防毒面具，并在通风状态下进行（换气过程需设备管理人操作）
4、使用脉冲激光沉积设备过程中需要值守，随时观测设备状态，不得擅自离岗
仪器说明：
脉冲激光沉积（PLD）是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。被广泛用于高温超导薄膜,各种氮化物与碳化物薄膜,复杂的多元氧化物薄膜以及纳米材料薄膜,多层结构和梯度结构薄膜的制备。在此基础上，BWI PLD配套有石墨烯专用化学气相沉积腔室，能够同时实现单层和双层石墨烯的制备。