仪器名称：PE-CVD系统
仪器型号：BTF-1200C-II-PECVD
仪器产家：贝意克(BEQ, 安徽合肥)
主要应用：
薄膜制备设备，适合于半导体、集成电路、光电科学、电子信息、纳米技术等领域研究，可以在各种尺寸和形状的基底上沉积可以多种薄膜。
性能指标：
1、PECVD是前段预热双温区滑轨结构，集真空系统、供气流量系统、射频源、自动推进、加热于一体，并将所有控制集成于触屏操控界面之中。
2、PECVD电源范围：0~500 W可调，温度范围：100~1200 ℃可调，溅射区域长度：2000 mm。
3、适用范围：金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。
4、双温区滑轨炉：带有预热炉，最高温度为1100 ℃；
5、等离子射频发生器：输出功率5~500 W可调；射频电源频率13.56 MHz；冷却方式为空气冷却；输入电源：208~240 VAC，50/60 Hz；
样品要求：
粉末样品、薄膜样品等
仪器说明：
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。
1、加热炉适用的工作条件包括：环境温度：10～75 ℃，周围环境相对湿度不超过85%；炉子周围没有导电尘埃、爆炸性气体及腐蚀性气体；没有明显的倾斜﹑振动和颠簸。
2、炉子长时间不用后，先要120 ℃烘烤1 h，再300 ℃烘烤2 h后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。
3、炉膛若采用石英管，当温度高于1000 ℃时，石英管的高温部分会出现不透明现象，是连熔石英管的固有缺陷,属正常现象。
4、冷炉使用时，低温段升温速率不易过快，各温度段的升温速率差别不易太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉管。
5、定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是否良好，应特别注意加热元件的各连接点的连接是否紧固。