磁控溅射系统

发布者:先进材料研究院发布时间:2023-03-31浏览次数:1639

仪器名称:磁控溅射系统

仪器型号:PRO Line PVD75

仪器产家:美国/Kurt J. Lesker Company

主要应用:用于各种功能性薄膜的制备,通过高速、高质量的大面积镀膜,制备具有热电、压电、铁电、磁性、半导体、光学、超硬、自润滑等属性的功能薄膜,以深入开展半导体器件、太阳能电池、微波、射频、发光等方向的研究,促进能源和电子领域新材料的研究和应用。

性能指标:

1.  样品规格:最大直径为6英寸(150 mm)的基底,一次一片。

2.  设备极限真空:5×10-7 Torr。配有43英寸靶枪,其中1个为强磁靶。

3.  溅射电源:11000 W直流电源,2300 W射频电源。基片可以原位旋转,转速0~20 RPM可调。

4.  电路规格:380 VAC/三相/50 Hz,需接地。气路规格:Swagelok接头。水路规格:NPT接头。

5.  净重:1941 磅(880 kg)。

样品要求:

样品直径不超过6英寸,且不易挥发和无毒。

注意事项和日常维护:

1. 注意房间温度和湿度

2. 检查靶腔外壁是否有冷凝水,如果有冷凝水需要擦干才能打开电源。(注意夏天开冷水机一定要开空调)

3. 冷却循环水每隔半年检查一次,注意防止水质变质而影响冷水机的寿命,最好一年换一次水。

4. 及时清理设备表面灰尘。

5. 确保真空气路的正常状态。

6. 主真空室内层被锡箔纸包裹,平时每隔一段时间更换一次锡箔纸。

7. 安装靶材时注意防止主真空室污染,用照明灯时不要让电子设备靠近,以防止电子设备磁化。

仪器说明:

由真空工艺腔室、泵抽系统、真空测量系统、样品台、进样室模块、气路控制系统、软件控制系统及系统框架等组成。物理气相沉积在真空条件下,采用物理方法将材料源气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)的过程,在硅片等半导体器件基体表面沉积成薄膜。本设备使用机械泵与分子泵对真空腔室抽气,极限真空度可达5×10-7 Torr,真空度用全量程真空计测量。可由软件控制镀膜所需达到的工艺真空度,向真空腔内冲入工作气体(多为氩气),可由软件控制充气的流量以及镀膜时的工作气压;为靶枪通电,产生电子,电子在运动过程中与工作气体碰撞产生溅射所需的离子,离子在电场作用下加速轰击靶材,溅射出靶材原子,靶材原子沉积在基片上形成薄膜。整个过程中,为靶枪所加载的功率在一定范围内连续可调,可用软件控制靶枪功率来控制靶材原子的沉积速率。


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